[发明专利]包括二维半导体的薄膜晶体管以及包括其的显示设备有效
| 申请号： | 201810753994.2 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109698240B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 李禧成;任曙延;朴权植;金圣起 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/32;G09F9/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;谭天 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包括二维半导体的薄膜晶体管以及包括其的显示设备。该薄膜晶体管包括：设置在基底上的栅电极；半导体层，以与栅电极隔离的状态设置成与栅电极的至少一部分交叠；设置在栅电极与半导体层之间的栅极绝缘膜；连接至半导体层的源电极；以及漏电极，以与源电极间隔开的状态连接至半导体层，其中所述半导体层包括：第一层，包含氧化物半导体；以及被设置成在截面图中与第一层交叠的第二层，第二层包含二维半导体，以及第一层的能带隙大于第二层的能带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 二维 半导体 薄膜晶体管 以及 显示 设备 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：设置在基底上的栅电极；半导体层，所述半导体层以与所述栅电极隔离的状态设置成与所述栅电极的至少一部分交叠；设置在所述栅电极与所述半导体层之间的栅极绝缘膜；连接至所述半导体层的源电极；以及漏电极，所述漏电极以与所述源电极分开的状态连接至所述半导体层，其中，所述半导体层包括：包含氧化物半导体的第一层；以及设置成在截面图中与所述第一层交叠的第二层，所述第二层包含二维半导体，以及其中，所述第一层的能带隙大于所述第二层的能带隙。
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