[发明专利]基于STT-MRAM加速固态存储器件日志文件保存恢复的方法有效
| 申请号： | 201810754935.7 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN108959589B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 杨杰;李炜;徐庶;蔡晓晰;丁钢波;曹学成 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司 |
| 主分类号： | G06F16/00 | 分类号： | G06F16/00 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨天娇 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于STT‑MRAM加速固态存储器件日志文件保存恢复的方法，在固态存储器件启动完成后的正常工作状态下，将日志写入到DRAM中存储，并按照设定的条件将DRAM中存储的日志保存到STT‑MRAM中，更新DRAM和STT‑MRAM中的日志节点信息；在收到下电命令或遭到异常掉电时，将DRAM中存放的还未保存的日志强制保存到STT‑MRAM中，更新STT‑MRAM中的日志节点信息；在上电启动时，从STT‑MRAM中读取日志节点信息，在DRAM中恢复日志节点信息，开始记录日志。本发明解决了提高了固态存储器件启动的速度，简化了系统设计复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 stt mram 加速 固态 存储 器件 日志 文件 保存 恢复 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于STT‑MRAM加速固态存储器件日志文件保存恢复的方法，所述固态存储器件包括系统内存DRAM和磁性随机存储器STT‑MRAM，其特征在于，所述基于STT‑MRAM加速固态存储器件日志文件保存恢复的方法，包括：在固态存储器件启动完成后的正常工作状态下，将日志写入到DRAM中存储，并按照设定的条件将DRAM中存储的日志保存到STT‑MRAM中，更新DRAM和STT‑MRAM中的日志节点信息；在收到下电命令或遭到异常掉电时，将DRAM中存放的还未保存的日志强制保存到STT‑MRAM中，更新STT‑MRAM中的日志节点信息；在上电启动时，从STT‑MRAM中读取日志节点信息，在DRAM中恢复日志节点信息，开始记录日志。
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