[发明专利]量子点的制备方法及量子点有效
| 申请号： | 201810755194.4 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN108893118B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王允军;李鑫;厉芙伶 | 申请（专利权）人： | 苏州星烁纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种量子点的制备方法，包括步骤：S1、向镉源和锌源的混合前体中加入硒源和硫源，制备CdZnSeS核，其中，以物质的量计，硒源的投料量大于硫源的投料量；S2、向S1的反应体系中加入硫源和镉源，以在CdZnSeS核的表面形成CdS过渡层；S3、向S2的反应体系中加入硫源和锌源，以进一步在CdS过渡层的表面形成ZnS壳层，反应得到量子点。通过本发明的方法，可以获得荧光发射波长在650nm以上的量子点。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、向镉源和锌源的混合前体中加入硒源和硫源，制备CdZnSeS核，以物质的量计，所述硒源的投料量大于所述硫源的投料量；S2、向S1的反应体系中加入硫源和镉源，以在CdZnSeS核的表面形成CdS过渡层；S3、向S2的反应体系中加入硫源和锌源，以进一步在CdS过渡层的表面形成ZnS壳层，反应得到CdZnSeS/CdS/ZnS量子点。
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