[发明专利]一种利用反应等离子沉积技术生长宽光谱MGZO-TCO薄膜的方法及应用有效
| 申请号： | 201810757314.4 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN109182971B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 陈新亮;张晓丹;赵颖;周忠信;李盛喆 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 12223 天津耀达律师事务所 | 代理人： | 张耀 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种利用反应等离子沉积技术生长宽光谱MGZO‑TCO薄膜的方法及其应用，属于光电子器件领域。以组分纯度为99.99％的MgO和Ga | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 宽光谱 反应等离子 技术生长 沉积 晶硅异质结太阳电池 光电子器件领域 异质结太阳电池 应用 靶材原料 表面结构 电学特性 镀膜过程 复合结构 基片偏压 溅射气体 界面生长 器件效率 组分纯度 掺杂的 缓冲层 晶体硅 陶瓷靶 透过率 衬底 引入 | ||
【主权项】：
1.一种利用反应等离子沉积技术生长宽光谱MGZO-TCO薄膜的方法，其特征是：以组分纯度为99.99％的MgO和Ga
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