[发明专利]一种p型背接触太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 201810759437.1 | 申请日: | 2018-07-11 |
公开(公告)号: | CN108666376B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 李华;鲁伟明;李中兰;靳玉鹏 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 王胜利 |
地址: | 225300 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种p型背接触太阳电池及其制备方法,包括:正面钝化及减反射膜、p型硅基底、钝化隧穿层、n型掺杂膜层、背面钝化膜和电池电极;n型掺杂膜层间隔设置在p型硅基底表面,相邻的n型掺杂膜层之间设置有本征膜层;n型掺杂膜层和本征膜层呈指状交叉形式交错排列,其中n型掺杂膜层包括第一贯穿区域和第一垂直区域,所述本征膜层包括第二贯穿区域和第二垂直区域;第一贯穿区域和第二贯穿区域相互平行;所述第一垂直区域和第一贯穿区域相互垂直并连接;所述第二垂直区域和第二贯穿区域相互垂直并连接;使用了本征膜层进行了隔离,在空间的横向和纵向方向上都没有接触,大大较少了漏电流的产生,提高了可靠性和电池性能表现。 | ||
搜索关键词: | 一种 接触 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种p型背接触太阳电池,其特征在于,自上而下依次包括:正面钝化及减反射膜(2)、p型硅基底(1)、钝化隧穿层(11)、局域分布的第一膜层区域和第二膜层区域、背面钝化膜(6)和电池电极;所述第一膜层区域包括:钝化隧穿层(11)上远离p型硅基底(1)一侧的n型掺杂膜层(3);所述第二膜层区域未进行额外掺杂,所述第二膜层区域包括:钝化隧穿层(11)上远离p型硅基底(1)一侧的本征膜层(5);所述的第一膜层区域和第二膜层区域呈指状交叉形式交错排列,其中第一膜层区域包括第一贯穿区域(301)和第一垂直区域(302),所述第二膜层区域包括第二贯穿区域(401)和第二垂直区域(402);第一贯穿区域(301)和第二贯穿区域(401)相互平行;所述第一垂直区域(302)和第一贯穿区域(301)相互垂直并连接;所述第二垂直区域(402)和第二贯穿区域(401)相互垂直并连接;在第一贯穿区域(301)方向上,所述第一垂直区域(302)和第二垂直区域(402)交错排列;所述的电池电极包括正极和负极,所述正极包括正极细栅线(7)和正极连接电极(9),所述负极包括负极细栅线(8)和负极连接电极(10);所述正极细栅线(7)置于背面第二膜层区域范围内,并与p型硅基底(1)形成接触;所述负极细栅线(8)置于背面的第一膜层区域范围内,并与第一膜层区域形成接触;负极连接电极(10)设置在第一贯穿区域(301)内;正极连接电极(9)设置在第二贯穿区域(401)内;正极细栅线(7)与正极连接电极(9)连接,并通过正极连接电极(9)导出电流,负极细栅线(8)与负极连接电极(10)连接,并通过负极连接电极导出电流。
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