[发明专利]一种p型背接触太阳电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810760069.2 申请日: 2018-07-11
公开(公告)号: CN108666379A 公开(公告)日: 2018-10-16
发明(设计)人: 李华;鲁伟明;李中兰;靳玉鹏 申请(专利权)人: 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 张弘
地址: 225300 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种p型背接触太阳电池及其制备方法,包括:正面钝化及减反射膜、p型硅基底、背面钝化隧穿层、n型掺杂膜层、背面钝化膜和电池电极;所述的n型掺杂膜层局域分布在背面钝化隧穿层上;所述n型掺杂膜层和p型硅基底背面的p型区域呈指状交叉形式交错排列,其中n型掺杂膜层包括n型贯穿区域和n型垂直区域,所述p型区域包括p型贯穿区域和p型垂直区域;n型贯穿区域和p型贯穿区域相互平行;所述n型垂直区域和n型贯穿区域相互垂直并连接;所述p型垂直区域和p型贯穿区域相互垂直并连接;在n型贯穿区域方向上,所述n型垂直区域和p型垂直区域交错排列;本发明可以提高电池在后期产品的可靠性表现,减少电池组件的工艺难度。
搜索关键词: 垂直区域 贯穿 膜层 背面钝化 交错排列 背接触 隧穿层 制备 垂直 背面钝化膜 电池电极 电池组件 工艺难度 减反射膜 区域方向 指状交叉 基底背 钝化 基底 平行 电池 表现
【主权项】:
1.一种p型背接触太阳电池,其特征在于,自上而下依次包括:正面钝化及减反射膜(2)、p型硅基底(1)、背面钝化隧穿层(11)、n型掺杂膜层(3)、背面钝化膜(5)和电池电极;所述的n型掺杂膜层(3)局域分布在背面钝化隧穿层(11)上;所述n型掺杂膜层(3)和p型硅基底(1)背面的p型区域(4)呈指状交叉形式交错排列,其中n型掺杂膜层(3)包括n型贯穿区域(301)和n型垂直区域(302),所述p型区域(4)包括p型贯穿区域(401)和p型垂直区域(402);n型贯穿区域(301)和p型贯穿区域(401)相互平行;所述n型垂直区域(302)和n型贯穿区域(301)相互垂直并连接;所述p型垂直区域(402)和p型贯穿区域(401)相互垂直并连接;在n型贯穿区域(301)方向上,所述n型垂直区域(302)和p型垂直区域(402)交错排列;所述的电池电极包括正极和负极,所述正极包括正极细栅线(7)和正极连接电极(9),所述负极包括负极细栅线(8)和负极连接电极(11);负极细栅线(8)与n型掺杂区域的n型垂直区域(302)形成接触;正极细栅线(7)与p型区域(4)的p型垂直区域(402)形成接触;负极连接电极(11)设置在n型贯穿区域(301)内;正极连接电极(9)设置在p型贯穿区域(401)内;正极细栅线(7)与正极连接电极(9)连接,并通过正极连接电极(9)导出电流,负极细栅线(8)与负极连接电极(11)连接,并通过负极连接电极导出电流。
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