[发明专利]一种硫化钼薄膜异质结太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明公开了一种硫化钼薄膜异质结太阳能电池，其采用PVA/PVP光透膜层作为电池的窗口层，由于PVA/PVP光透膜层能够隔离空气，从而增加了硫化钼薄膜异质结太阳能电池的稳定性；并且其在P型单晶硅衬底与硫化钼薄膜层之间设置了氧化石墨烯中间层，通过氧化石墨烯中间层与P型单晶硅衬底接触，由于氧化石墨烯中含有氢键可以与P型单晶硅衬底表面的悬挂键结合，从而降低了P型单晶硅衬底的表面态，有利于提升电池的开路电压和短路电流，进一步提升本发明的硫化钼薄膜异质结太阳能电池的转换效率。

主权项

1.一种硫化钼薄膜异质结太阳能电池，其特征在于，包括：P型单晶硅衬底，所述P型单晶硅衬底的背面形成有铝背电极层，其正面由下至上依次形成有二氧化硅绝缘层、金电极层、钛电极层；所述二氧化硅绝缘层、金电极层、钛电极层上开设有开槽，所述开槽贯穿所述二氧化硅绝缘层、金电极层、钛电极层，止于所述P型单晶硅衬底的正面；氧化石墨烯中间层，填充在所述开槽内，且所述氧化石墨烯中间层的底部与所述P型单晶硅衬底接触，其顶部与所述二氧化硅绝缘层的顶部齐平；硫化钼薄膜层，形成在所述氧化石墨烯中间层上，且覆盖在所述钛电极层上；以及PVA/PVP光透膜层，覆盖在所述硫化钼薄膜层上，作为电池的窗口层。