[发明专利]基于外尔半金属贝里曲率增强的高灵敏中红外光探测器有效
| 申请号： | 201810762319.6 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110718603B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 孙栋;赖佳伟;马骏超;卓笑 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/032;G01J5/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于外尔半金属贝里曲率增强的高灵敏中红外光探测器，包括基底，基底表面具有绝缘层，绝缘层上设置厚度小于100nm的外尔半金属纳米片，在外尔半金属纳米片的两端分别设有第一金属电极和第二金属电极，所述外尔半金属纳米片与金属电极形成欧姆接触。该探测器利用外尔半金属能带结构中外尔点附近的发散的贝利曲率，通过材料体系的制备特征实现位移电流在特定波段的增强，获得巨大光电流响应，可广泛应用于红外成像、军事侦察、夜视镜等领域，有利于探测器的微型化和经济化。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 外尔半 金属 曲率 增强 灵敏 红外光 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种中红外光探测器，包括基底，所述基底表面具有绝缘层，其特征在于，所述绝缘层上设置厚度小于100nm的外尔半金属纳米片，在外尔半金属纳米片的两端分别设有第一金属电极和第二金属电极，所述外尔半金属纳米片与金属电极形成欧姆接触。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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