[发明专利]一种原生多晶硅料的清洗方法

摘要

本发明公开了一种原生多晶硅料的清洗方法，属于多晶硅生产技术领域，特别涉及一种原生多晶硅料的清洗方法。本发明采用化学氧化反应的方式来将多晶硅碳头料中的石墨杂质清除。本方法了传统的机械加工来去除多晶碳头料上的石墨杂质的方法，采用化学清洗的方法。符合太阳能硅业的清洁要求，且对多晶碳头料本身的损耗很少，增加了原料的可利用率，且经过清洗后废酸及冲洗液经排放处理后不会对环境造成污染。

主权项

1.一种原生多晶硅料的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在冰水浴中装配好反应槽1，反应槽1中配置重量比为4:1:1:1的氢氟酸、硝酸、硫酸、氯化锰、双氧水的混合溶液，搅拌下加入原生多晶硅料和1~2份硝酸钠的固体混合物，再分次加入6~10 份高锰酸钾、1~2份五氧化二磷，搅拌2min，酸液循环，浸泡10min，冷却30min，后送入反应槽2；(2)在纯水介质下25℃经旋转、溢流、鼓泡、快排，清洗2min后送入反应槽3；(3)在反应槽3，氢氟酸介质下，25℃搅拌清洗2~5min后，送入反应槽4；(4)纯水漂洗，旋转、溢流、鼓泡、快排，清洗1~2min，过滤送入反应槽5；(5)经反应槽5，过渡运输，纯水溢流漂洗硅料，水下横移，1~2min浸泡，溢流后送入反应槽6；(6)硅料超声波清洗，旋转、溢流、90℃超声波2min~3min，超声波：功率1800W，频率40KHz，硅料送至反应槽7；(7)90℃纯水漂洗，旋转、溢流、鼓泡、加热清洗40~60s 后送入反应槽8；(8)在氮气氛围下水切后送入反应槽9；(9)在氮气氛围下，旋转、真空烘干处理10min~15min，重复三次，干燥充分，冷却至室温，即得。