[发明专利]全彩显示阵列结构及制备方法在审
申请号: | 201810762715.9 | 申请日: | 2018-07-12 |
公开(公告)号: | CN108878499A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 李璟;苏康;王国宏;葛畅 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周天宇 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种蓝光LED与绿光、红光OLED相结合的全彩显示结构及制备方法,将LED显示与OLED显示的优势相结合实现全彩显示,既解决绿光LED发光效率低,红光LED的GaAs材料体系与蓝光、绿光LED的GaN材料体系很难兼容等问题,又解决OLED显示中蓝光发光光效低、寿命短的问题。 | ||
搜索关键词: | 全彩显示 绿光LED 蓝光 制备 材料体系 发光效率 阵列结构 红光LED 蓝光LED 红光 绿光 兼容 | ||
【主权项】:
1.一种全彩显示阵列,包括:透明衬底(1);蓝光LED阵列,其形成在所述透明衬底(1)上,由多个独立条形蓝光LED结构按列排布,每列蓝光LED结构的LED像素通过LED N电极和列数据线电极(8)实现阴极电互联;绿光OLED阵列,其形成在所述透明衬底(1)上,由多个独立条形绿光OLED结构按列排布,每列绿光OLED结构的OLED像素通过OLED N电极和列数据线电极(8′)实现阴极电互联;红光OLED阵列,其形成在所述透明衬底(1)上,由多个独立条形红光OLED结构按列排布,每列红光OLED结构的OLED像素通过OLED N电极和列数据线电极(8′)实现阴极电互联;所述蓝光LED阵列的LED P电极和行控制线电极(7)与所述绿光、红光OLED阵列的透明导电层(5)实现电互联。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810762715.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:彩膜基板及其制备方法、显示面板
- 下一篇:显示基板及其制备方法、显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的