[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201810762830.6 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN109494203A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 工藤千秋;长谷川贵史;斋藤浩一 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L29/78;H01L29/872;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 齐秀凤 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高半导体装置的可靠性的半导体装置及其制造方法。某实施方式的半导体装置具备：半导体基板、层间绝缘层、至少一个电极、无机保护层以及有机保护层。层间绝缘层形成在半导体基板上，具有至少一个开口部。至少一个电极的一部分形成在至少一个开口部的边缘上，其他部分在至少一个开口部内与半导体基板电连接。无机保护层具有内缘部以及外缘部，内缘部覆盖至少一个电极的边缘，内缘部以外形成在所述层间绝缘层上。有机保护层覆盖无机保护层。此外，无机保护层的内缘部以及外缘部的至少一者具有底切部。底切部与有机保护层相接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 无机保护层 内缘部 半导体基板 层间绝缘层 有机保护层 电极 开口部 底切部 外缘部 电连接 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：半导体基板；层间绝缘层，形成在所述半导体基板的主面上，具有至少一个开口部；至少一个电极，一部分形成在所述至少一个开口部的边缘上，其他部分在所述至少一个开口部内与所述半导体基板电连接；无机保护层，具有内缘部以及外缘部，所述内缘部覆盖所述至少一个电极的边缘，所述内缘部以外形成在所述层间绝缘层上；以及有机保护层，覆盖所述无机保护层，所述无机保护层的所述内缘部以及所述外缘部的至少一者具有底切部，所述底切部与所述有机保护层相接。
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