[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810762890.8 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110718464B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/265;H01L29/167 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底，基底包括衬底以及凸出于衬底的鳍部，基底用于形成NMOS晶体管；形成横跨鳍部的栅极结构，栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁；在栅极结构两侧的鳍部内形成第一防扩散掺杂区，掺杂离子包括Ga离子；在栅极结构两侧的鳍部内形成源漏掺杂区，沿垂直于栅极结构侧壁的方向，源漏掺杂区与第一防扩散掺杂区相邻且位于第一防扩散掺杂区远离栅极结构的一侧。本发明第一防扩散掺杂区的掺杂离子包括Ga离子，掺杂Ga离子有利于保证第一防扩散掺杂区位于源漏掺杂区和沟道区之间的鳍部内，因此可有效抑制源漏掺杂区的掺杂离子向沟道区发生横向扩散并减小沟道漏电流，进而提高半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述基底用于形成NMOS晶体管；/n形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；/n在所述栅极结构两侧的鳍部内形成第一防扩散掺杂区，所述第一防扩散掺杂区中的掺杂离子包括Ga离子；/n在所述栅极结构两侧的鳍部内形成源漏掺杂区，沿垂直于所述栅极结构侧壁的方向，所述源漏掺杂区与所述第一防扩散掺杂区相邻且位于所述第一防扩散掺杂区远离所述栅极结构的一侧。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
