[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810763132.8 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110718465B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底和凸出于衬底的鳍部，衬底包括周边区；形成横跨周边区鳍部且覆盖鳍部部分顶部和部分侧壁的伪栅结构，伪栅结构包括伪栅氧化层以及位于伪栅氧化层上的伪栅层，伪栅层包括刻蚀停止层和位于刻蚀停止层上的牺牲层；在伪栅结构露出的衬底上形成介质层，介质层露出伪栅结构顶部；去除周边区的伪栅层，暴露出伪栅氧化层的表面，并在介质层内形成第一开口；在第一开口内形成栅电极层，位于第一开口中的伪栅氧化层和栅电极层用于构成第一金属栅结构。本发明在去除牺牲层时，刻蚀停止层能够对周边区的伪栅氧化层起到保护作用，从而降低对伪栅氧化层的损伤，提高半导体器件的电学性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述衬底包括周边区；/n形成横跨所述周边区鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述周边区鳍部的部分顶部和部分侧壁，所述伪栅结构包括伪栅氧化层以及位于所述伪栅氧化层上的伪栅层，所述伪栅层包括刻蚀停止层以及位于所述刻蚀停止层上的牺牲层；/n在所述伪栅结构露出的衬底上形成介质层，所述介质层露出所述伪栅结构的顶部；/n去除所述周边区的伪栅层，暴露出所述周边区伪栅氧化层的表面，并在所述介质层内形成第一开口；/n在所述第一开口内形成栅电极层，位于所述第一开口中的伪栅氧化层和栅电极层用于构成所述第一金属栅结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
