[发明专利]B位掺杂铋铁氧体固溶体薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201810763918.X | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN108911730A | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 刘聪;贾婷婷;程振祥;姚竣翔;樊子冉 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C04B35/26 | 分类号： | C04B35/26;C04B35/624 |
| 代理公司： | 深圳国新南方知识产权代理有限公司 44374 | 代理人： | 雷青云 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种B位掺杂铋铁氧体固溶体薄膜及制备方法和应用，制备方法包括：制备B位掺杂铋铁氧体固溶体溶胶；将固溶体溶胶于衬底上涂布形成溶胶涂层；将衬底上的溶胶涂层进行热固处理；将热固处理后的溶胶涂层进行退火处理；其中，退火处理中通过快速升温后保持，提升薄膜表面的平整度，控制和提升材料的结晶性；然后再缓慢降温促进薄膜形成面外单畴。本发明的以上方法，对传统铁酸铋溶胶凝胶制备薄膜技术进行改良，通过B位掺杂，与钛酸钙混合获得准同型相界的压电增强效应；通过调整退火过程，制备的高质量外延室温多铁薄膜具备良好的高压电性，室温多铁性及单晶外延性。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 溶胶涂层 掺杂 铁氧体 制备方法和应用 固溶体薄膜 退火处理 固溶体 衬底 热固 压电增强效应 室温多铁性 准同型相界 薄膜表面 薄膜技术 薄膜形成 单晶外延 缓慢降温 快速升温 溶胶凝胶 退火过程 高压电 结晶性 平整度 铁薄膜 铁酸铋 钛酸钙 单畴 改良 | ||
【主权项】：
1.一种B位掺杂铋铁氧体固溶体薄膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤：制备B位掺杂铋铁氧体固溶体溶胶；将所述固溶体溶胶于衬底上涂布形成溶胶涂层；将所述衬底上的溶胶涂层进行热固处理；将所述热固处理后的溶胶涂层进行退火处理；其中，所述退火处理的温度为700～900℃，所述退火处理的降温过程中降温速率为0.5～1℃/s。
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