[发明专利]PLD结合MOCVD法在Si衬底上生长AlGaN基的紫外LED结构及制备方法有效
| 申请号： | 201810764155.0 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN109148658B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 秦维;汪卫军 |
| 地址： | 517000 广东省河*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了PLD结合MOCVD法在Si衬底上生长AlGaN基的紫外LED结构及制备方法，紫外LED结构包括Si(111)衬底、在所述Si(111)衬底上自下而上依次生长的步进AlGaN缓冲层、Si掺杂的n型AlGaN层、Al |
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| 搜索关键词： | pld 结合 mocvd si 衬底 生长 algan 紫外 led 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.PLD结合MOCVD法在Si衬底上生长AlGaN基的紫外LED结构，其特征在于，包括Si(111)衬底、在所述Si(111)衬底上自下而上依次生长的步进AlGaN缓冲层、Si掺杂的n型AlGaN层、Al0.40Ga0.60N/Al0.50Ga0.50N多量子阱层、AlGaN电子阻挡层、Mg掺杂的p型AlGaN层、Mg掺杂的p型GaN层；所述步进AlGaN缓冲层采用脉冲激光沉积法生长在Si(111)衬底上；所述Si掺杂的n型AlGaN层、Al0.40Ga0.60N/Al0.50Ga0.50N多量子阱层、AlGaN电子阻挡层、Mg掺杂的p型AlGaN层、Mg掺杂的p型GaN层分别采用金属有机物气相沉积法生长在对应的步进AlGaN缓冲层、Si掺杂的n型AlGaN层、Al0.40Ga0.60N/Al0.50Ga0.50N多量子阱层、AlGaN电子阻挡层、Mg掺杂的p型AlGaN层上生长。
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