[发明专利]一种Si衬底上GaN基紫外LED外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201810764177.7 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN109148657B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L23/373;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 秦维;汪卫军 |
| 地址： | 517000 广东省河*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种Si衬底上GaN基紫外LED外延片及其制备方法，该紫外LED外延片包括Si衬底、自下而上依次设置在Si衬底上的GaN缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型Al |
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| 搜索关键词： | 一种 si 衬底 gan 紫外 led 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Si衬底上GaN基紫外LED外延片，其特征在于，包括Si衬底、自下而上依次设置在Si衬底上的GaN缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型AlxGa1‑xN层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN超晶格层、InyGa1‑yN/GaN量子阱层、EBL层、p型AlyGa1‑yN层、p型GaN层；所述InxGa1‑xN/GaN超晶格层中，x＝0.20‑0.06，成分渐变；所述InyGa1‑yN/GaN量子阱层，y＝0.02‑0.08；所述n型AlxGa1‑xN层与p型AlyGa1‑yN层，x＝y＝0.10‑0.30。
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