[发明专利]一种三维半导体存储器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种三维半导体存储器，包括：衬底、位于该衬底上的第一堆叠结构、位于该第一堆叠结构上的第二堆叠结构、垂直于该衬底的上表面的第一沟道孔、垂直于该衬底的上表面的第二沟道孔和中间导电部，该中间导电部位于该第一沟道孔和该第二沟道孔之间，与第一沟道孔中的第一沟道层、沟道孔中的第二沟道层都接触；还包括与该第二沟道孔对应的第二存储层，该第二存储层与该中间导电部隔离。本发明所提供的三维半导体存储及其制备方法，由于将第二存储层与中间导电部隔离，所以能够较好的避免沟道层与中间导电部之间形成曲折回路，使得中间导电部更容易被反型，从而电子迁移率更高。因此本发明可以提高三维存储器的编程和擦写性能。

主权项

1.一种三维半导体存储器，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括多个间隔设置的第一栅极层；位于所述第一堆叠结构上的第二堆叠结构，所述第二堆叠结构包括多个间隔设置的第二栅极层；垂直于所述衬底的上表面的第一沟道孔，所述第一沟道孔位于所述第一堆叠结构中，所述第一沟道孔内设有第一沟道层；垂直于所述衬底的上表面的第二沟道孔，所述第二沟道孔位于所述第二堆叠结构中，所述第二沟道孔内设有第二沟道层；中间导电部，所述中间导电部位于所述第一沟道孔和所述第二沟道孔之间，所述中间导电部与所述第一沟道层、所述第二沟道层都接触；与所述第二沟道孔对应的第二存储层，所述第二存储层与所述中间导电部隔离。