[发明专利]湿蚀刻设备在审
| 申请号： | 201810764873.8 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN109166809A | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 王建刚 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种湿蚀刻设备。该湿蚀刻设备通过在蚀刻槽盖板上设置液体吸收装置，快速将蚀刻槽盖板上残留的蚀刻药液进行吸收处理，防止蚀刻槽盖板上残留的蚀刻药液被溅射或滴至玻璃基板上，减少因蚀刻槽盖板上残留的蚀刻药液导致的产品异常，改善玻璃基板上的Mura，提高产品生产良率，并且在该湿蚀刻设备的维护保养中，不需要设备作业人员手动对蚀刻槽体的盖板上残留的药液进行清洗，减少设备作业人员的工作量以及职业伤害；此外，由于减少了蚀刻槽盖板上残留的蚀刻药液，可以便于设备作业人员对蚀刻槽内部的检测与观察，提升制程参数获取的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻槽 盖板 蚀刻 湿蚀刻设备 残留 玻璃基板 设备作业 液体吸收装置 产品生产 减少设备 维护保养 吸收处理 职业伤害 制程参数 溅射 良率 工作量 清洗 观察 检测 | ||
【主权项】：
1.一种湿蚀刻设备，其特征在于，包括：蚀刻槽盖板(10)以及与所述蚀刻槽盖板(10)接触的液体吸收装置(20)；所述液体吸收装置(20)用于吸收蚀刻槽盖板(10)上残留的蚀刻药液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
