[发明专利]一种基于含氦W基纳米晶薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 201810764894.X | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN108914075B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 王乐;王先平;郝汀;高云霞;方前锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 23000*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含氦W基纳米晶薄膜材料的制备方法，即首次采用磁控溅射的方法在He/Ar混合气氛中将W基靶材进行溅射、沉积，从而在衬底上实现含氦W基纳米晶薄膜材料的制备。本制备方法可有效克服传统粉末冶金等方法制备的W基块体晶粒粗大的问题，实现具有纳米量级晶粒尺寸的W基样品的制备，有效克服了传统方法中使用加速器注入He时由于材料表面温度升高引起的温度不可控、氦原子在材料表面深度方向分布不均匀等问题,实现了He原子在W基材料中均匀、可控地注入。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含氦W基纳米晶薄膜材料的制备方法，采用射频磁控溅射的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一：对W基靶材进行表面处理，去除表面金属氧化物和杂质；步骤二：将衬底用酒精和丙酮混合溶液进行超声清洗，最后用去离子水冲洗，烘干；步骤三：将步骤一中所述的W基靶材安装到磁控溅射的永磁靶或者电磁靶上，将步骤二中所述的衬底放在磁控溅射仪里面的基板上，抽真空至一定程度后通入氦气和氩气组成的混合气氛，通过调整合适的溅射功率和时间进行溅射沉积到衬底上，即得到所述含氦W基纳米晶薄膜。
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