[发明专利]一种三元金属原子晶体氢化制备二维材料的方法有效
| 申请号： | 201810765217.X | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110713172B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 封伟;张鑫;王宇;赵付来;冯奕钰;李瑀 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01B6/24 | 分类号： | C01B6/24 |
| 代理公司： | 天津创智睿诚知识产权代理有限公司 12251 | 代理人： | 李薇 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明公开一种三元金属原子晶体氢化制备二维材料的方法，将Ga粉、Ge粉和Li片封装于真空石英管中，于充满氩气的真空管式炉中退火得到LiGaGe晶体前驱体，取出前驱体置于管式炉中暴露在H |
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| 搜索关键词： | 一种 三元 金属 原子 晶体 氢化 制备 二维 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三元金属原子晶体氢化制备二维材料的方法，其特征在于，按照等摩尔比将Ga、Ge、Li三种金属进行真空封装和处理以得到GaGeLi晶体，由20—25摄氏度在350—450min内升至1000—1100℃并维持1000—1200min再以0.5—3℃/min降温至20—25摄氏度，得到三元金属原子晶体前驱体；将三元金属原子晶体前驱体GaGeLi置于氢气气氛中进行处理得到二维材料前驱体GaGeLiH，自20—25摄氏度以每分钟1—5摄氏度的升温速度升温至200—600摄氏度并保温20—80小时，再自然冷却至室温20—25摄氏度；使用四氟胶带反复撕粘，得到2D-LiGaGeH层状材料。/n
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