[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810765977.0 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN109427877B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 蔡惠铭;叶凌彦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在制造负电容结构的方法中，在设置在衬底上方的第一导电层上方形成铁电介电层，并且在铁电介电层上方形成第二导电层。铁电介电层包括非晶层和晶体。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造负电容结构的方法，所述方法包括：在设置在衬底上方的第一导电层上方形成铁电介电层；以及在所述铁电介电层上方形成第二导电层，其中，所述铁电介电层包括非晶层和晶体。
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