[发明专利]NVM芯片的读阈值设置方法及其装置有效
| 申请号： | 201810767733.6 | 申请日： | 2017-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN109065092B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 路向峰;张一中;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 北京忆恒创源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572 | 代理人： | 段旺 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区西小口*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了NVM芯片的读阈值设置方法及其装置。公开的设置阈值的方法，包括：读取第一字线上的多个页；确定第一字线上多个存储单元的数据状态；依据存储单元的被写入的第一数据状态与读出的第二数据状态识别第一阈值以及第一阈值的调整方向值；累计从所述多个存储单元识别的第一阈值的调整方向值，得到第一阈值的调整值；以及用第一阈值的调整值更新第一阈值。 | ||
| 搜索关键词： | nvm 芯片 阈值 设置 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种设置阈值的方法，包括：读取第一字线上的多个页；确定第一字线上多个存储单元的数据状态；依据存储单元的被写入的第一数据状态与读出的第二数据状态识别第一阈值以及第一阈值的调整方向值；累计从所述多个存储单元识别的第一阈值的调整方向值，得到第一阈值的调整值；以及用第一阈值的调整值更新第一阈值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京忆恒创源科技股份有限公司，未经北京忆恒创源科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810767733.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：3D NAND闪存的读取方法
- 下一篇：片上存储器测试电路及方法
