[发明专利]氧化铪栅极介质层的制造方法

摘要

本发明公开了一种氧化铪栅极介质层的制造方法，氧化铪栅极介质层采用分成两个连续阶段的ALD工艺形成；第一阶段的ALD工艺的参数为：依次通入铪源和氧源进行形成氧化铪单原子层的反应，累积重复多次形成第一氧化铪层；第二阶段的ALD工艺的参数为：单原子层的反应气体中在第一阶段的铪源和氧源的基础上增加了氮源的通入，使得单原子层的反应物为氮氧化铪单原子层，累积重复多次形成第二氮氧化铪层；由第一氧化铪层和第二氮氧化铪层叠加形成氧化铪栅极介质层。本发明能对氧化铪栅极介质层中的氮元素的含量和分布进行有效控制，从而能提高氧化铪栅极介质层的可靠性，且本发明工艺流程简单以及成本低。

主权项

1.一种氧化铪栅极介质层的制造方法，其特征在于：氧化铪栅极介质层采用分成两个连续阶段的ALD工艺形成；所述ALD工艺的两个连续阶段的工艺参数设置为：第一阶段的ALD工艺的参数为：依次通入铪源和氧源进行形成氧化铪单原子层的反应，累积重复多次形成氧化铪单原子层的工艺，形成第一氧化铪层；在所述第一氧化铪层形成之后继续进行第二阶段的ALD工艺，所述第二阶段的ALD工艺的参数为：单原子层的反应气体中在所述第一阶段的铪源和氧源的基础上增加了氮源的通入，使得单原子层的反应物为氮氧化铪单原子层，累积重复多次形成氮氧化铪单原子层的工艺，形成第二氮氧化铪层；由所述第一氧化铪层和所述第二氮氧化铪层叠加形成所述氧化铪栅极介质层，通过所述第二阶段的ALD工艺实现对所述氧化铪栅极介质层中的氮元素的含量和分布的控制，从而提高所述氧化铪栅极介质层的可靠性。