[发明专利]栅极侧墙的制造方法

摘要

本发明公开了一种栅极侧墙的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成由栅介质层、多晶硅栅和硬质掩膜层叠加而成的栅极结构；步骤二、形成侧墙介质层；步骤三、在侧墙介质层的表面形成侧墙保护介质层；步骤四、对侧墙保护介质层进行第一次全面刻蚀并使侧墙保护介质层仅位于栅极结构侧面；步骤五、对侧墙介质层进行第二次全面刻蚀形成侧墙，所保留的侧墙保护介质层对侧墙的侧面进行保护，侧墙保护介质层和硬质掩膜层自对准暴露出侧墙的顶部表面从而能调节侧墙的高度；步骤六、去除所保留的侧墙保护介质层。本发明能防止侧墙的厚度减薄，使侧墙的厚度得到保持；能调节侧墙的高度，防止形成过大的牛角，从而有利于栅极结构的平坦化。

主权项

1.一种栅极侧墙的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成由栅介质层、多晶硅栅和硬质掩膜层叠加而成的栅极结构；步骤二、形成侧墙介质层，所述侧墙介质层覆盖在所述栅极结构的侧面和顶部表面以及所述栅极结构外的所述半导体衬底表面；步骤三、在所述侧墙介质层的表面形成侧墙保护介质层，所述侧墙保护介质层和所述侧墙介质层的材料不同，所述侧墙介质层的材料和所述硬质掩膜层的材料不同；步骤四、以所述侧墙介质层为停止层对所述侧墙保护介质层进行第一次全面刻蚀，所述第一次全面刻蚀将所述栅极结构的顶部以及所述栅极结构外的所述侧墙介质层表面的所述侧墙保护介质层都去除，所述栅极结构侧面的所述侧墙介质层的侧面保留有所述侧墙保护介质层；步骤五、对所述侧墙介质层进行第二次全面刻蚀，所述第二次全面刻蚀将所述栅极结构的顶部表面以及所述栅极结构外的所述半导体衬底表面的所述侧墙介质层都去除，在所述栅极结构的侧面形成由保留的所述侧墙介质层组成的侧墙，在所述第二次全面刻蚀中所保留的所述侧墙保护介质层对所述侧墙的侧面进行保护从而使所述侧墙的厚度得到保持；所述侧墙的顶部表面在横向上位于所保留的所述侧墙保护介质层和所述硬质掩膜层中间，所述第二次全面刻蚀实现对所述侧墙的顶部的自对准刻蚀并从而调节所述侧墙的高度；步骤六、去除所保留的所述侧墙保护介质层。