[发明专利]钨填充凹槽结构的方法

摘要

本发明公开了一种钨填充凹槽结构的方法，包括步骤：步骤一、形成凹槽结构；步骤二、形成钨成核层；步骤三、在凹槽结构的侧面的钨成核层的侧面形成金属侧墙；步骤四、采用化学气相淀积工艺生长钨主体层并将凹槽结构完全填充，钨在金属侧墙的侧面不成核，凹槽结构中钨主体层从底部表面开始从底到顶生长并将凹槽结构无缝填充；步骤五、进行钨的化学机械性研磨工艺形成仅填充于凹槽结构中的钨金属结构。本发明能实现钨无缝隙填充凹槽，且工艺简单、成本低。

主权项

1.一种钨填充凹槽结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、形成凹槽结构；步骤二、形成钨成核层，所述钨成核层形成于所述凹槽结构的底部表面和侧面并延伸到所述凹槽结构外的表面；步骤三、在所述凹槽结构的侧面的所述钨成核层的侧面形成金属侧墙，所述凹槽结构底部表面和所述凹槽结构外的所述钨成核层的表面露出；所述金属侧墙的材料保证后续的化学气相淀积工艺生长钨的过程中不会在所述金属侧墙的侧面形成钨，使钨从所述钨成核层的表面开始从底部到顶部生长；步骤四、采用化学气相淀积工艺生长钨主体层并将所述凹槽结构完全填充，在所述钨主体层生长过程中，在所述凹槽结构中钨从所述钨成核层的底部表面开始从底部向顶部方向生长并将所述凹槽结构无缝填充；步骤五、进行钨的化学机械性研磨工艺将所述凹槽结构外的所述钨主体层和所述钨成核层都去除，形成组成包括填充于所述凹槽结构中的所述钨成核层和所述钨主体层的钨金属结构。