[发明专利]一种LED芯片光学特性预测方法及系统有效
| 申请号： | 201810769241.0 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109033587B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 陈焕庭;李燕;林惠川;胡俊民 | 申请（专利权）人： | 闽南师范大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F119/08 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王戈 |
| 地址： | 363000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片光学特性预测方法及系统，该方法包括获取LED芯片的材料特性参数；根据所述材料特性参数建立芯片表面温度分布预测模型；获取发光特性参数；根据所述芯片表面温度分布预测模型和所述发光特性参数建立芯片表面亮度分布预测模型；根据所述芯片表面温度分布预测模型和预设材料特性参数预测芯片表面温度分布；根据所述芯片表面亮度分布预测模型、预设发光特性参数和预设材料特性参数预测芯片表面亮度分布。本发明实现了依据芯片的特性参数预测LED芯片的温度分布和亮度分布。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 光学 特性 预测 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片光学特性预测方法，其特征在于，所述方法包括：获取LED芯片的材料特性参数；所述材料特性参数包括P电极边缘处的电流密度、接触电阻率、P型材料电阻率、N型材料电阻率、P型材料厚度、N型材料厚度、距离P电极的距离、有源层的电阻率、有源层厚度、热导率、内量子效率、自发辐射光子的溢出系数、材料电导率、合金层厚度和PN结初始电压；根据所述材料特性参数建立芯片表面温度分布预测模型；获取发光特性参数；所述发光特性参数包括发光效率、参考温度、参考温度下发光效率、发光效率‑温度系数、有源区的面积和LED芯片正向电压；根据所述芯片表面温度分布预测模型和所述发光特性参数建立芯片表面亮度分布预测模型；根据所述芯片表面温度分布预测模型和预设材料特性参数预测芯片表面温度分布；根据所述芯片表面亮度分布预测模型、预设发光特性参数和预设材料特性参数预测芯片表面亮度分布。
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