[发明专利]一种设置Σ3孪晶界制备双晶向多晶硅铸锭的方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅铸锭的制备方法，包括如下步骤：对两种晶向不同的单晶籽晶进行切割，再将切割得到的单晶籽晶相邻间隔、紧密拼接形成籽晶层，铺设在坩埚底部；再将硅料置于籽晶层上，加热控制坩埚温度，使得硅料完全融化而籽晶层部分融化，诱导部分熔化的籽晶层生长，在籽晶拼接处形成了Σ3孪晶界，最后通过定向凝固得到了双晶向的多晶硅铸锭。本发明方法通过在籽晶拼接处人工设置了Σ3孪晶界避免了由于籽晶摆放形成的晶向差而导致的位错，规则的双晶向多晶硅铸锭上部的位错密度低于104/cm2，有效的提高了多晶硅铸锭的质量。

主权项

1.一种设置Σ3孪晶界制备双晶向多晶硅铸锭的方法，包括如下步骤：(1)分别对两种晶向不同、形状相同的长方体形单晶籽晶I与单晶籽晶II进行切割，分别得到形状相同的单晶籽晶III与单晶籽晶IV，再将单晶籽晶III与单晶籽晶IV相邻间隔、紧密拼接形成籽晶层；(2)将籽晶层铺设在坩埚底部，再将硅料置于籽晶层上，并将内装籽晶层和硅料的坩埚装入多晶硅铸锭炉内，将多晶硅铸锭炉加热至硅料完全熔化而籽晶层部分熔化；(3)当熔化至预设高度时，通过降温来诱导部分熔化的籽晶层生长，所述籽晶层生长的过程中，在籽晶拼接处形成Σ3孪晶界，最后通过定向凝固形成双晶向多晶硅铸锭。