[发明专利]发光元件有效
| 申请号： | 201810770386.2 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN108807626B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 王佳琨;沈建赋;陈昭兴;杨於铮;叶慧君;古依雯;陈宏哲;林植南 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光元件，该发光元件包括：半导体叠层；反射层，位于半导体叠层之上；第一缓冲层，包括由金属元素及非金属元素所组成的化合物，位于反射层之上；第一电极；以及电性绝缘层，位于第一缓冲层与第一电极之间，使该第一缓冲层与该第一电极完全分隔。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，其特征在于，包括：半导体叠层，其包括第一电性半导体层；活性层，位于该第一电性半导体层之上；以及第二电性半导体层，位于该活性层之上；其中该半导体叠层具有第一区域，在该第一区域上，该第二电性半导体层及该活性层被移除而形成平台结构；第一应力缓冲层，包括由金属元素及非金属元素所组成的化合物，位于该第二电性半导体层之上；第一电极，包括接触区及延伸区，该第一电极的该延伸区位于该第二电性半导体层之上，沿着该平台结构的侧壁向该第一区域延伸，且该第一电极的该接触区与该第一电性半导体层相接触；第二应力缓冲层，包括由金属元素及非金属元素所组成的化合物，位于该第二电性半导体层与该第一电极之间；以及电性绝缘层，位于该第一应力缓冲层与该第二应力缓冲层之间，使该第一应力缓冲层与该第一电极完全分隔，且该电性绝缘层沿着该平台结构的该侧壁向该第一区域延伸并与该第一电性半导体层相接触。
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