[发明专利]光学近似修正方法有效
| 申请号： | 201810770612.7 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN110716385B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 杜杳隽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种OPC方法，本发明提供的OPC方法包括：提供多个参考结构，所述多个参考结构的宽度不同；对每个参考结构的端部进行样条建模，分别获得各自的第一目标曲线；利用第一目标曲线进行曝光模拟，得到模拟曝光图形，并由所述模拟曝光图形的轮廓定义出第二目标曲线；提供待优化结构，在所述待优化结构的端部引入所述第二目标曲线；以及依据所述第二目标曲线计算所述待优化结构的端部的EPE。由此，本发明的OPC方法能够有效的确保待优化结构的端部EPE的可靠性，从而有助于提高OPC精度，并且适用性广范，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 近似 修正 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光学近似修正方法，其特征在于，包括：/n提供多个参考结构，所述多个参考结构的宽度不同；/n对每个参考结构的端部进行样条建模，分别获得各自的第一目标曲线；/n利用第一目标曲线进行曝光模拟，得到模拟曝光图形，并由所述模拟曝光图形的轮廓定义出第二目标曲线；/n提供待优化结构，在所述待优化结构的端部引入所述第二目标曲线；以及/n依据所述第二目标曲线计算所述待优化结构的端部的EPE。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810770612.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：投影幕布及其制备方法
- 下一篇：一种光学临近效应的修正方法、修正装置及掩模
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
