[发明专利]一种Nafion-PDDA-Gp铋膜修饰电极的制备方法

摘要

本发明公开了一种Nafion‑PDDA‑Gp铋膜修饰电极的制备方法，步骤如下：将GO粉末分散在水中，超声，加入35%PDDA，搅拌15‑25min，置于恒温仪中加热6‑7h，将所得的悬浮液过滤并用超纯水洗涤；取以上所得的PDDA‑Gp复合物，分散在水中，超声，加入0.25%的Nafion，超声2‑3h，备用；将玻碳电极分别用1.0μm、0.3μm α‑Al₂O₃打磨，再依次用1∶1的硝酸，乙醇，蒸馏水分别超声清洗干净，氮气吹干，取Nafion‑PDDA‑Gp复合溶液滴涂在电极表面，干燥即得。该方法简便，成功制备了Nafion‑PDDA‑Gp铋膜修饰电极，具有良好的稳定性和响应灵敏度。

主权项

1.一种Nafion‑PDDA‑Gp铋膜修饰电极的制备方法，其特征在于包括如下步骤：将15‑25份GO粉末分散在70‑80份水中，超声20‑30min得到均匀分散液，加入10‑20份35%PDDA，持续搅拌15‑25min，置于恒温仪中于75‑85℃加热6‑7h，将所得的悬浮液过滤并用超纯水洗涤4‑6次；取10‑20份以上所得的PDDA‑Gp复合物，分散在45‑55份水中，超声10‑20min，加入2‑4份0.25%的Nafion，超声2‑3h，备用；将玻碳电极分别用1.0μm、0.3μm α‑Al2O3打磨，再依次用1∶1的硝酸，乙醇，蒸馏水分别超声30‑40min清洗干净，氮气吹干，取1‑2份Nafion‑PDDA‑Gp复合溶液滴涂在电极表面，干燥即得；各原料均为重量份。