[发明专利]一种通过填充Ga、Te替换Sb提高基方钴矿材料热电性能的方法在审
| 申请号： | 201810775036.5 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN109103323A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 王超;张蕊;姜晶;牛夷;周婷;潘燕 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L35/14 | 分类号： | H01L35/14;H01L35/34 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 陈一鑫 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 该发明公开了一种通过填充Ga替换Sb提高CoSb3基方钴矿材料热电性能的方法，属于热电材料领域及其制备邻域。本发明的目的在于提供一种通过填充镓单质(Ga)、碲单质(Te)替换部分锑单质(Sb)形成填充替换方钴矿来提高CoSb3基方钴矿材料热电性能的方法。该热电材料可通过改变单质镓(Ga)的含量和碲单质(Te)替换锑单质(Sb)的量来调节赛贝克系数、电导率和热导率等参数来提升CoSb3基方钴矿材料的热电性能，且制备工艺简单，适合大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 热电性能 替换 基方 钴矿 填充 单质 热电材料 碲单质 电导率 赛贝克系数 制备工艺 方钴矿 热导率 镓单质 邻域 制备 | ||
【主权项】：
1.一种通过填充镓单质(Ga)、碲单质(Te)替换部分锑单质(Sb)的热电材料GaxCo4Sb12.3‑yTey，其特征在于其中x的取值为0.2，y的取值为0.6～0.9；通过调节单质镓(Ga)的填充量和碲单质(Te)替换锑单质(Sb)的量来改善热电材料GaxCo4Sb12.3‑yTey的赛贝克系数、电导率和热导率。
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