[发明专利]基于二维碲纳米片的固体光探测器及其制备方法在审
申请号: | 201810775860.0 | 申请日: | 2018-07-16 |
公开(公告)号: | CN109103275A | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 张晗;谢中建 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
主分类号: | H01L31/0272 | 分类号: | H01L31/0272;H01L31/113;H01L31/18;B82Y40/00 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种基于二维碲纳米片的固体光探测器,包括基底、依次设置在基底上的隔离层和光吸收层,以及间隔设置在光吸收层上的源极和漏极,源极和漏极之间形成的沟道结构暴露出部分光吸收层,光吸收层的材料包括二维碲纳米片。本发明提供的光探测器性能良好。本发明还提供了一种光探测器的制备方法,包括:将二维碲纳米片分散在有机溶剂中形成二维碲纳米片分散液,将二维碲纳米片分散液均匀涂布在隔离层上,干燥后得到光吸收层;在光吸收层上方以及未被光吸收层覆盖的隔离层上方旋涂光刻胶,经曝光和显影后,形成电极图案;沉积电极材料,随后去除光刻胶,形成源极和漏极,得到基于二维碲纳米片的光探测器。本发明提供的制备方法简单易操作。 | ||
搜索关键词: | 光吸收层 纳米片 二维 光探测器 隔离层 漏极 源极 制备 分散液 光刻胶 基底 沉积电极材料 电极图案 沟道结构 间隔设置 均匀涂布 依次设置 有机溶剂 去除 显影 旋涂 曝光 暴露 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种基于二维碲纳米片的固体光探测器,其特征在于,包括基底、依次设置在所述基底上的隔离层和光吸收层,以及间隔设置在所述光吸收层上的源极和漏极,所述源极和所述漏极之间形成的沟道结构暴露出部分所述光吸收层,所述光吸收层的材料包括二维碲纳米片。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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