[发明专利]基于二维碲纳米片的固体光探测器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810775860.0 申请日: 2018-07-16
公开(公告)号: CN109103275A 公开(公告)日: 2018-12-28
发明(设计)人: 张晗;谢中建 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: H01L31/0272 分类号: H01L31/0272;H01L31/113;H01L31/18;B82Y40/00
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种基于二维碲纳米片的固体光探测器,包括基底、依次设置在基底上的隔离层和光吸收层,以及间隔设置在光吸收层上的源极和漏极,源极和漏极之间形成的沟道结构暴露出部分光吸收层,光吸收层的材料包括二维碲纳米片。本发明提供的光探测器性能良好。本发明还提供了一种光探测器的制备方法,包括:将二维碲纳米片分散在有机溶剂中形成二维碲纳米片分散液,将二维碲纳米片分散液均匀涂布在隔离层上,干燥后得到光吸收层;在光吸收层上方以及未被光吸收层覆盖的隔离层上方旋涂光刻胶,经曝光和显影后,形成电极图案;沉积电极材料,随后去除光刻胶,形成源极和漏极,得到基于二维碲纳米片的光探测器。本发明提供的制备方法简单易操作。
搜索关键词: 光吸收层 纳米片 二维 光探测器 隔离层 漏极 源极 制备 分散液 光刻胶 基底 沉积电极材料 电极图案 沟道结构 间隔设置 均匀涂布 依次设置 有机溶剂 去除 显影 旋涂 曝光 暴露 覆盖
【主权项】:
1.一种基于二维碲纳米片的固体光探测器,其特征在于,包括基底、依次设置在所述基底上的隔离层和光吸收层,以及间隔设置在所述光吸收层上的源极和漏极,所述源极和所述漏极之间形成的沟道结构暴露出部分所述光吸收层,所述光吸收层的材料包括二维碲纳米片。
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