[发明专利]半导电石墨烯结构、形成此类结构的方法及包含此类结构的半导体装置在审
| 申请号： | 201810775899.2 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN109166785A | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 罗伊·E·米迪;苏密特·C·潘迪 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/092;H01L29/16;H01L29/165;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/66;H01L29/778;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请揭示一种半导电石墨烯结构、形成此类结构的方法及包含此类结构的半导体装置。此类结构可包含石墨烯材料及所述石墨烯材料的至少一部分上方的石墨烯晶格匹配材料，其中所述石墨烯晶格匹配材料具有在所述石墨烯材料的晶格常数或键长的倍数的约5％内的晶格常数。所述半导电石墨烯结构可具有至少约0.5eV的能量带隙。本申请还揭示一种对石墨烯材料的能量带隙进行改质的方法，其可包含在石墨烯材料的至少一部分上方形成石墨烯晶格匹配材料，所述石墨烯晶格匹配材料具有在所述石墨烯材料的晶格常数或键长的倍数的约5％内的晶格常数。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 石墨烯材料 晶格匹配材料 晶格常数 半导电 半导体装置 能量带隙 改质 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其包括：衬底，所述衬底包括含硅材料；直接在所述衬底上方的石墨烯材料；及石墨烯晶格匹配材料，其直接在所述石墨烯材料的至少一部分上方且键结到所述石墨烯材料的所述至少一部分，所述石墨烯晶格匹配材料具有在所述石墨烯材料的晶格常数或键长的倍数的约±5％内的晶格常数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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