[发明专利]基于纳米SnS材料的光探测器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种基于纳米SnS材料的光探测器，包括工作电极、对电极以及设于工作电极和对电极之间的电解液，工作电极包括导电基底和设置在导电基底朝向对电极的一侧上的半导体层，半导体层的材料包括纳米SnS材料，纳米SnS材料包括二维SnS纳米片和SnS量子点中的至少一种。本发明提供的光探测器性能良好。本发明还提供了一种光探测器的制备方法，包括以下步骤：将纳米SnS材料分散在有机溶剂中形成纳米SnS材料分散液，将纳米SnS材料分散液均匀涂布在导电基底上，干燥后，在导电基底上形成半导体层，得到工作电极；提供对电极，在工作电极和对电极之间注入电解液，经封装后得到光探测器。本发明提供的制备方法简单易操作。

主权项

1.一种基于纳米SnS材料的光探测器，其特征在于，包括工作电极、对电极以及设于所述工作电极和所述对电极之间的电解液，所述工作电极包括导电基底和设置在所述导电基底朝向所述对电极的一侧上的半导体层，所述半导体层的材料包括纳米SnS材料，所述纳米SnS材料包括二维SnS纳米片和SnS量子点中的至少一种。