[发明专利]一种GaN基绝缘栅双极型晶体管及其加工方法有效
| 申请号： | 201810776006.6 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN109037322B | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 张雄;赵见国;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/78;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 徐红梅 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种GaN基绝缘栅双极型晶体管及其加工方法，其芯片结构包括由下至上依次设置的衬底、GaN或AlN缓冲层、掩膜层、GaN柱状层、GaN集电区、N型Al |
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| 搜索关键词： | 一种 gan 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，其芯片结构包括由下至上依次设置的衬底(101)、GaN或AlN缓冲层(102)、掩膜层(103)、GaN柱状层(104)、GaN集电区(105)、N型AlxGa1‑xN缓冲层(106)、GaN飘移区(107A)和MOS结构区(107B)。
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