[发明专利]具有可调选择性的低研磨CMP浆料组合物在审
申请号: | 201810776201.9 | 申请日: | 2018-07-16 |
公开(公告)号: | CN109321140A | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 郭毅;D·莫斯利;N·K·彭塔 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;H01L21/306 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈哲锋;胡嘉倩 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供水性化学机械平坦化(CMP)抛光组合物,包含一种或多种选自烷氧基化胺、烷氧基化铵或其混合物的表面活性剂和具有至少一种阳离子性物种的胶态二氧化硅颗粒的混合物,以所述组合物的总重量计按固体计,所述胶态二氧化硅颗粒以1到30wt.%的量存在,并且所述组合物的pH值在2到6范围内。所述表面活性剂具有疏水尾。所述CMP抛光组合物展现可调的氧化物:多晶硅和氧化物:氮化物去除率比,并显著降低氮化硅和多晶硅的去除率而不显着降低电介质(例如TEOS)去除率。 | ||
搜索关键词: | 胶态二氧化硅颗粒 表面活性剂 抛光组合物 混合物 多晶硅 氧化物 去除 电介质 化学机械平坦化 氮化物去除 烷氧基化胺 烷氧基化 阳离子性 研磨 氮化硅 可调的 重量计 可调 疏水 物种 | ||
【主权项】:
1.一种水性化学机械平坦化(CMP)抛光组合物,包含一种或多种表面活性剂和一种或多种胶态二氧化硅颗粒分散体的混合物,所述表面活性剂具有疏水性烷基或芳基取代烷基(芳烷基)基团,选自烷氧基化胺、烷氧基化铵或其混合物;所述胶态二氧化硅颗粒在所述胶态二氧化硅颗粒上或内部具有至少一个含有阳离子性氮原子的基团;以所述组合物的总重量计按固体计,所述一种或多种胶态二氧化硅颗粒分散体以1到30wt.%的量存在;所述组合物的pH值在2到6范围内;并且其中所述一种或多种胶态二氧化硅颗粒分散体中的至少一种的ζ电位为+5到+50mV。
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