[发明专利]三维集成光互连芯片中光耦合端面的制造方法有效
| 申请号： | 201810776259.3 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110727046B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 涂芝娟;方青;汪巍;蔡艳;曾友宏;余明斌 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的三维集成光互连芯片中光耦合端面的制造方法，包括如下步骤：提供一器件晶圆，所述器件晶圆包括具有器件结构的正面以及与所述正面相对的背面，且所述器件晶圆具有自所述正面向所述背面方向延伸的硅通孔；将所述正面与一载体晶圆键合；形成球形焊点于所述背面；自所述背面刻蚀所述器件晶圆，形成贯穿所述器件晶圆的光耦合端面。本发明在简化三维集成光互连芯片中光耦合端面的制造工艺的同时，改善了光耦合端面的质量，降低了三维集成光互连芯片的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 集成 互连 芯片 耦合 端面 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维集成光互连芯片中光耦合端面的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供一器件晶圆，所述器件晶圆包括具有器件结构的正面以及与所述正面相对的背面，且所述器件晶圆具有自所述正面向所述背面方向延伸的硅通孔；/n将所述正面与一载体晶圆键合；/n形成球形焊点于所述背面；/n自所述背面刻蚀所述器件晶圆，形成贯穿所述器件晶圆的光耦合端面。/n
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