[发明专利]反熔丝结构电路及其形成方法有效
| 申请号： | 201810777344.1 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110729276B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种反熔丝结构电路及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在基底上形成反熔丝，形成所述反熔丝的方法包括：在基底上形成第一栅极结构和介质层，所述介质层覆盖第一栅极结构；在第一栅极结构两侧的介质层中分别形成导电插塞，所述导电插塞的宽度自顶部至底部递减；所述反熔丝结构电路的形成方法还包括：在基底上形成第二栅极结构，第一栅极结构的顶部表面高于第二栅极结构的顶部表面，所述介质层还覆盖第二栅极结构，所述导电插塞还分别位于第二栅极结构两侧的介质层中。所述方法降低了反熔丝的编程电压和编程时间。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 结构 电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种反熔丝结构电路的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底；/n在基底上形成反熔丝，形成所述反熔丝的方法包括：在基底上形成第一栅极结构和介质层，所述介质层覆盖第一栅极结构；在第一栅极结构两侧的介质层中分别形成导电插塞，所述导电插塞的宽度自顶部至底部递减；/n所述反熔丝结构电路的形成方法还包括：在基底上形成第二栅极结构，第一栅极结构的顶部表面高于第二栅极结构的顶部表面，所述介质层还覆盖第二栅极结构，所述导电插塞还分别位于第二栅极结构两侧的介质层中。/n
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