[发明专利]全N型MOSFET实现的电压自举电路及驱动控制电路在审
| 申请号： | 201810777823.3 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110729895A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 许如柏;刘桂云;鲍奇兵 | 申请（专利权）人： | 辉芒微电子(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/158 | 分类号： | H02M3/158 |
| 代理公司： | 44217 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全N型MOSFET实现的电压自举电路及驱动控制电路。所述电压自举电路包括：自举二极管、第一自举电压开关、第二自举电压开关、开漏电平转换电路、自举电容。本发明通过使用第一自举电压开关以及开漏电平转换电路，替代了常用电压自举电路里面P型MOSFET管的功能，实现了全N型MOSFET管实现的电压自举电路，来驱动N型MOSFET器件。这样对于半导体制造来说可以减少生产时mask的层数，降低生产成本，也可以使用一些没有高压P型MOSFET管的制造工艺，进而有效降低了自举电路的制备难度和制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电压自举 自举电压 电路 漏电 转换电路 制备 驱动控制电路 半导体制造 自举二极管 制造工艺 自举电路 自举电容 驱动 替代 生产 | ||
【主权项】：
1.一种全N型MOSFET实现的电压自举电路，与输出驱动电路连接，其特征在于，所述电压自举电路包括：与电源(VDD)连接的自举二极管(Dbs)、与输出驱动电路连接的第一自举电压开关(Mn0)和第二自举电压开关(Mn1)、与第一自举电压开关(Mn0)连接的开漏电平转换电路、用于维持第一自举电压开关(Mn0)输出稳定的自举电容(Cbs)，/n第二自举电压开关(Mn1)的控制端接入第一开关信号(sw1)，用于在第一开关信号(sw1)的操作下，控制第二自举电压开关(Mn1)的导通或关闭；/n开漏电平转换电路接入第三开关信号(sw3)并与第一自举电压开关(Mn0)连接，用于在第三开关信号(sw3)的操作下，控制第一自举电压开关(Mn0)的导通或关闭；/n当第二自举电压开关(Mn1)导通且第一自举电压开关(Mn0)关闭时，第一自举电压开关(Mn0)向输出驱动电路输出的自举电压无法满足输出驱动电路开启条件，输出驱动电路关闭；/n当第二自举电压开关(Mn1)关闭且第一自举电压开关(Mn0)导通时，第一自举电压开关(Mn0)向输出驱动电路输出的自举电压满足输出驱动电路开启条件，输出驱动电路导通。/n
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