[发明专利]半导体激光器非吸收窗口的制备方法及半导体激光器有效
| 申请号： | 201810778850.2 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN108847575B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 井红旗;王鑫;赵懿昊;袁庆贺;刘素平;马骁宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体激光器非吸收窗口的制备方法及半导体激光器。所述方法包括：在外延片的非吸收窗口区域覆盖光刻胶掩膜进行保护；采用感应耦合等离子体刻蚀方法，通入气体产生的等离子体轰击所述外延片表面；去除所述外延片表面覆盖的光刻胶；在所述外延片表面生长一层氧化硅薄膜；将所述外延片进行热退火处理；去除所述外延片表面生长的氧化硅薄膜。用感应耦合等离子体刻蚀方法替代了生长介质膜形成保护的步骤，简化了制备过程，降低了工艺难度，减少了制备过程中的危险性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 吸收 窗口 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器非吸收窗口的制备方法，包括：在外延片的非吸收窗口区域覆盖光刻胶掩膜进行保护；采用感应耦合等离子体刻蚀方法，通入气体产生的等离子体轰击所述外延片表面；去除所述外延片表面覆盖的光刻胶；在所述外延片表面生长一层氧化硅薄膜；将所述外延片进行热退火处理；去除所述外延片表面生长的氧化硅薄膜。
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