[发明专利]一种紫外LED的外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810779454.1 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN109065680A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 黄小辉;王小文;郑远志;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 马鞍山杰生半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/24 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 黄溪;刘芳 |
| 地址： | 243000 安徽省马*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种紫外LED的外延结构及其制备方法，该外延结构从下至上依次包括：衬底层、缓冲层，非掺杂层，N型掺杂层，多量子阱结构，电子阻挡层以及P型GaN层；其中，所述P型GaN层上具有M个通孔，M≥1且为整数。该外延结构中具有带有通孔的P型GaN层，因此能够降低量子阱发出的紫外光在p型层的吸收率，提高紫外光出光几率，提高紫外LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 外延结构 紫外LED 紫外光 通孔 制备 吸收率 多量子阱结构 电子阻挡层 发光效率 非掺杂层 衬底层 缓冲层 量子阱 | ||
【主权项】：
1.一种紫外LED的外延结构，其特征在于，从下至上依次包括：衬底层、缓冲层，非掺杂层，N型掺杂层，多量子阱结构，电子阻挡层以及P型GaN层；其中，所述P型GaN层上具有M个通孔，M≥1且为整数。
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