[发明专利]一种基于纳米碳材料/硅异质结的X射线探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810779753.5 申请日: 2018-07-16
公开(公告)号: CN109103271B 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 贾怡;郭楠;肖林;刘军库 申请(专利权)人: 中国空间技术研究院
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/118;H01L31/18;B82Y30/00
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 张丽娜
地址: 100194 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明的纳米碳材料/硅异质结X射线探测器,使用纳米碳材料与硅构成异质结,同时纳米碳材料作为X射线的透明窗口层和器件的上电极。其中,纳米碳材料为原子序数为6的碳元素构成。在同等厚度下,该材料对X射线的透过率相对于传统的金材料(原子序数79)大幅提高。以针对1keV光子能量的X射线为例,250nm的纳米碳材料的射线透过率达95%,而250nm的金材料的射线透过率小于5%。即在同样的辐照条件下,本发明所述探测器可用于使硅中电子空穴电离、并产生电信号的有效X射线光子数目将远大于传统的金硅面垒探测器,从而可以大幅提高探测器的响应率。
搜索关键词: 一种 基于 纳米 材料 硅异质结 射线 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种基于纳米碳材料/硅异质结的X射线探测器,其特征在于:该探测器包括纳米碳材料层(1)、硅片(2)和下电极层(3);硅片(2)的上面为纳米碳材料层(1),硅片(2)的下面为下电极层(3);所述的纳米碳材料层(1)的厚度为250nm~10μm。
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