[发明专利]一种基于纳米碳材料/硅异质结的X射线探测器及其制备方法有效
申请号: | 201810779753.5 | 申请日: | 2018-07-16 |
公开(公告)号: | CN109103271B | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 贾怡;郭楠;肖林;刘军库 | 申请(专利权)人: | 中国空间技术研究院 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/118;H01L31/18;B82Y30/00 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 张丽娜 |
地址: | 100194 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明的纳米碳材料/硅异质结X射线探测器,使用纳米碳材料与硅构成异质结,同时纳米碳材料作为X射线的透明窗口层和器件的上电极。其中,纳米碳材料为原子序数为6的碳元素构成。在同等厚度下,该材料对X射线的透过率相对于传统的金材料(原子序数79)大幅提高。以针对1keV光子能量的X射线为例,250nm的纳米碳材料的射线透过率达95%,而250nm的金材料的射线透过率小于5%。即在同样的辐照条件下,本发明所述探测器可用于使硅中电子空穴电离、并产生电信号的有效X射线光子数目将远大于传统的金硅面垒探测器,从而可以大幅提高探测器的响应率。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 纳米 材料 硅异质结 射线 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于纳米碳材料/硅异质结的X射线探测器,其特征在于:该探测器包括纳米碳材料层(1)、硅片(2)和下电极层(3);硅片(2)的上面为纳米碳材料层(1),硅片(2)的下面为下电极层(3);所述的纳米碳材料层(1)的厚度为250nm~10μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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