[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法有效
申请号: | 201810780067.X | 申请日: | 2018-07-16 |
公开(公告)号: | CN109103103B | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 莫琼花;卓恩宗 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/06;H01L29/10 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 王宁 |
地址: | 518101 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种薄膜晶体管制备方法,所述方法包括:于基板上依次形成栅极、以及位于所述栅极上的栅极绝缘层;于所述栅极绝缘层上以第一速率淀积第一氢化非晶硅层,所述第一氢化非晶硅层中Si‑H键含量为25%~97%;于所述第一氢化非晶硅层上以第二速率淀积第二氢化非晶硅层,所述第二氢化非晶硅层中Si‑H键含量为45%~99%,所述第二速率大于所述第一速率,所述第二氢化非晶硅层的厚度小于所述第一氢化非晶硅层的厚度。本申请同时采用第一氢化非晶硅层和第二氢化非晶硅层,可降低Si‑H键的总含量,保障生产效率,提高性能也可兼顾产能。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管制备方法,其特征在于,所述方法包括:于基板上依次形成栅极、以及位于所述栅极上的栅极绝缘层;于所述栅极绝缘层上以第一速率淀积第一氢化非晶硅层,所述第一氢化非晶硅层中Si‑H键含量为25%~97%;于所述第一氢化非晶硅层上以第二速率淀积第二氢化非晶硅层,所述第二氢化非晶硅层中Si‑H键含量为45%~99%,所述第二速率大于所述第一速率,所述第二氢化非晶硅层的厚度小于所述第一氢化非晶硅层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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