[发明专利]一种功率器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种功率器件及其制作方法，包括：第一导电类型的衬底；形成于所述衬底上表面的第一导电类型的第一外延层；防静电结构，包括第一导电类型的第二外延层及第二导电类型的第三外延层；形成于所述第一外延层上表面的源区；形成于所述第一外延层上表面的栅极氧化硅层；形成于所述栅极氧化硅层上表面的栅极多晶硅层；形成于所述第一外延层上方的介质层；连接所述栅极多晶硅层与所述防静电结构的多晶硅通道；形成于所述介质层上表面的第一金属层及第二金属层；形成于所述衬底下表面的第三金属层。本发明缩小了器件面积，减少了封装制造成本，提高了产品可靠性。

主权项

1.一种功率器件的制作方法，其特征在于，包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上表面形成第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层上表面形成第一导电类型的第二外延层，所述第二外延层的离子浓度高于所述第一外延层；在所述第二外延层上表面形成第二导电类型的第三外延层，所述第三外延层的离子浓度高于所述第一外延层；刻蚀所述第二外延层和所述第三外延层，形成防静电结构；在所述第一外延层上表面形成源区；在所述第一外延层上表面形成栅极氧化硅层；在所述栅极氧化硅层上表面形成栅极多晶硅层；在所述第一外延层上表面形成介质层，使所述栅极氧化硅层、所述栅极多晶硅层以及所述防静电结构位于所述介质层内；在所述介质层内形成多晶硅通道，所述多晶硅通道将所述栅极多晶硅层与所述防静电结构连接；在所述介质层上表面形成第一金属层及第二金属层，所述第一金属层贯穿所述介质层与源区连接形成源极，所述第二金属层贯穿所述介质层与所述栅极多晶硅层连接形成栅极；在所述衬底下表面形成第三金属层，所述第三金属层与所述衬底连接形成漏极。