[发明专利]一种基于聚碳硅烷制备的多孔碳化硅块体及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201810780718.5 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN108752037B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 张勃兴;邱文兴 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C04B38/04 | 分类号： | C04B38/04;C04B38/00;C04B35/571;C04B35/622 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;冯振宁 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于聚碳硅烷制备的多孔碳化硅块体及其制备方法与应用。通过该方法制备得到的多孔碳化硅块体具有均匀分布的多孔结构、较大的比表面积以及优异的机械强度。而且，该方法操作简单，易于实现样品的批量制备。制备得到的多孔碳化硅块体将在催化剂、燃烧器、耐高温复合材料和过滤器等领域发挥重要应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硅烷 制备 多孔 碳化硅 块体 及其 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于聚碳硅烷制备多孔碳化硅块体的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)配置聚碳硅烷和二乙烯基苯的溶液，在密闭容器中进行反应，诱导相分离的发生；(2)然后除溶剂、热解、高温陶瓷化、马弗炉热处理和HF刻蚀，得到多孔碳化硅块体。
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