[发明专利]一种还原气氛双感应钼坩埚提拉法晶体生长装置及方法在审
| 申请号： | 201810781626.9 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN108950676A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 陈建玉 | 申请（专利权）人： | 苏州四海常晶光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/12 | 分类号： | C30B15/12;C30B29/28;C30B29/22;C30B29/20;C30B29/34 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 王巍巍 |
| 地址： | 215500 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种还原气氛双感应钼坩埚提拉法晶体生长方法，其特点是：将需要生长的晶体原料放入钼坩埚中，钼坩埚外放置一个比钼坩埚长约20％的钼桶，下保温采用氧化锆，上保温采用硬质碳毡保温，用扩散泵抽高真空，冲入Ar(N2)+H2的混合气体，铜线圈感应加热钼环和钼桶发热使钼坩埚中的原料融化采用提拉法生长晶体。采用全自动控制系统实现全自动无人值守晶体生长。 | ||
| 搜索关键词： | 钼坩埚 保温 提拉法晶体生长 还原气氛 全自动控制系统 提拉法生长晶体 抽高真空 感应加热 混合气体 晶体生长 晶体原料 无人值守 扩散泵 铜线圈 氧化锆 硬质碳 放入 钼环 发热 融化 生长 | ||
【主权项】：
1.一种还原气氛双感应钼坩埚提拉法晶体生长方法，其特点是：将需要生长的晶体原料放入钼坩埚中，钼坩埚外放置一个比钼坩埚长约20％的钼桶，下保温采用氧化锆，上保温采用硬质碳毡保温，用扩散泵抽高真空，冲入Ar(N2)+H2的混合气体，铜线圈感应加热钼环和钼桶发热使钼坩埚中的原料融化采用提拉法生长晶体；采用全自动控制系统实现全自动无人值守晶体生长。
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