[发明专利]一种氯化钴溶液的结晶方法在审
| 申请号： | 201810781819.4 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN108675358A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 秦雪萍;王强;叶剑鸣;孟茂勇 | 申请（专利权）人： | 金川集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C01G51/08 | 分类号： | C01G51/08 |
| 代理公司： | 中国有色金属工业专利中心 11028 | 代理人： | 李子健 |
| 地址： | 737103*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明的一种氯化钴溶液的结晶方法包括以下步骤：将氯化钴溶液蒸发浓缩；蒸发浓缩后的氯化钴溶液置于水浴锅中进行降温使氯化钴晶粒自然长出，水浴锅的温度降至30℃‑35℃时关闭水浴锅；将自然长出的氯化钴晶粒在室温下进行自然养晶15 h‑20 h后抽滤，得到氯化钴粗产品；当氯化钴粗产品温度降至20℃‑25℃时进行液固分离，将经过液固分离的氯化钴粗产品进行自然风干，得到粒径较大、品质符合国家标准的精制氯化钴产品，获得的氯化钴产品结晶率可达60%‑75%，同时晶粒大小均匀、晶体颜色均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 氯化钴 氯化钴溶液 粗产品 水浴锅 晶粒 液固分离 温度降 产品结晶 晶粒自然 晶体颜色 自然风干 抽滤 粒径 养晶 精制 | ||
【主权项】：
1.一种氯化钴溶液的结晶方法，其特征在于，所述结晶方法包括以下步骤：（1）将氯化钴溶液蒸发浓缩；（2）将步骤（1）中蒸发浓缩后的氯化钴溶液置于水浴锅中进行降温使氯化钴晶粒自然长出，所述水浴锅的温度降至30 ℃‑35 ℃时关闭所述水浴锅；（3）将步骤（2）中自然长出的氯化钴晶粒在室温下进行自然养晶15 h‑20 h后抽滤，得到氯化钴粗产品，所述抽滤的温度为20 ℃‑25 ℃；（4）当步骤（3）中的氯化钴粗产品温度降至20 ℃‑25 ℃时进行液固分离，将经过液固分离的氯化钴粗产品进行自然风干，得到氯化钴产品。
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