[发明专利]磁场感测元件以及磁场感测装置有效
| 申请号： | 201810783474.6 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN109270474B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 袁辅德;赖孟煌 | 申请（专利权）人： | 爱盛科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02;G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新北市汐止*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁场感测元件，包括基板、多个磁通集中器、多个磁阻传感器以及多个磁化方向设定元件。这些磁通集中器、这些磁阻传感器以及这些磁化方向设定元件设置于基板上。每一磁通集中器的相对两侧设有这些磁阻传感器的至少一部分。每一磁通集中器、这些磁阻传感器的至少一部分以及每一磁化方向设定元件在基板上的正投影区域分别为第一、第二及第三正投影区域。第三正投影区域分别与第一正投影区域以及第二正投影区域至少部分重叠。另，一种磁场感测装置也被提出。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 元件 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁场感测元件，其特征在于，包括：基板；多个磁通集中器，设置于所述基板上；多个磁阻传感器，设置于所述基板上，其中每一所述磁通集中器的相对两侧设有所述多个磁阻传感器的至少一部分；以及多个磁化方向设定元件，设置于所述基板上，其中，每一所述磁通集中器在所述基板上的正投影区域为第一正投影区域，所述多个磁阻传感器的至少一部分在所述基板上的正投影区域为第二正投影区域，每一所述磁化方向设定元件在所述基板上的正投影区域为第三正投影区域，所述第三正投影区域分别与所述第一正投影区域以及所述第二正投影区域至少部分重叠。
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