[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810783518.5 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN109841680A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 沙哈吉·B·摩尔;关恕;李承翰;张世杰;杨怀德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 在这些实施例中，半导体装置包括具有n型掺杂的阱结构的基板，以及形成于基板上的外延硅锗鳍状物。外延硅锗鳍状物具有下侧部分与上侧部分。下侧部分的锗含量小于上侧部分的锗含量。通道由外延硅锗鳍状物所形成。栅极形成于外延硅锗鳍状物上。掺杂的源极/漏极形成于靠近通道处。 | ||
| 搜索关键词： | 外延硅 锗鳍 状物 半导体装置 基板 源极/漏极 栅极形成 掺杂的 阱结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：一基板，具有一n型掺杂的阱结构；一外延硅锗鳍状物，形成于该n型掺杂的阱结构上，且该外延硅锗鳍状物具有一下侧部分与一上侧部分，其中该下侧部分的锗含量小于该上侧部分的锗含量；一通道，位于该外延硅锗鳍状物中；以及一轻掺杂源极/漏极区，由该外延硅锗鳍状物所形成。
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