[发明专利]一种Ti掺杂硫化锑的薄膜太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种以Ti掺杂Sb₂S₃作为光吸收层的薄膜太阳能电池及其制备方法，该薄膜太阳能电池结构由下到上依次由氧化物透明导电衬底、电子传输层、无机光吸收层、空穴传输层和金属电极构成，其中所述无机光吸收层为Ti掺杂的Sb₂S₃薄膜。本发明采用旋涂方法制备Ti掺杂的Sb₂S₃薄膜，使Sb₂S₃薄膜表面形貌有了很大改善，增强了其光吸收率，以其作为薄膜太阳能电池的光吸收层，可使电池的电流密度和填充因子明显提高，从而提升电池转换效率。

主权项

1.一种Ti掺杂Sb2S3的薄膜太阳能电池，该薄膜太阳能电池由下到上依次由氧化物透明导电衬底、电子传输层、无机光吸收层、空穴传输层和金属电极构成，其特征在于：所述无机光吸收层为Ti掺杂的Sb2S3薄膜。